太阳能电池已经开发了很多年。

在生活的许多方面，太阳能电池为我们带来了很多便利。

众所周知，太阳能电池的好处之一就是环境保护。

为了增进大家对太阳能电池的理解，本文将介绍太阳能电池的制造工艺。

如果您对太阳能电池感兴趣，则不妨继续阅读。

1.太阳能电池太阳能电池，也称为“太阳能芯片”。

术语“光电池”或“光电池”是使用阳光直接发电的光电半导体片。

只要将其暴露在满足某些照度条件的光线下，当存在环路时，它就可以立即输出电压并产生电流。

在物理学上，它称为光伏（Photovoltaic，缩写为PV），或简称为PV。

太阳能电池是通过光电效应或光化学效应将光能直接转换成电能的装置。

具有光伏效应的晶体硅太阳能电池是主流，而具有具有光化学效应的薄膜电池的太阳能电池仍处于起步阶段。

2.如何制造太阳能电池1.切割硅片和准备材料。

在硅电池的工业生产中使用的单晶硅材料通常是通过坩埚直拉法制造的太阳能级单晶硅棒。

原始形状为圆柱形，然后切成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长通常为10〜15cm，厚度约为200〜350um，电阻率约为1Ωcm。

2.去除损坏的硅晶片层将在切割过程中产生大量的表面缺陷，这将引起两个问题。

首先，表面质量差，并且这些表面缺陷将在电池制造过程中引起更多碎屑。

因此，为了去除切削损伤层，通常使用碱或酸腐蚀，并且腐蚀的厚度为约10μm。

3.纹理化和纹理化是通过酸或碱蚀刻相对光滑的原料硅晶片的表面，使其不平坦和粗糙以形成漫反射，并减少直接在硅晶片表面上的太阳能的损失。

对于单晶硅，通常使用NaOH和酒精进行腐蚀。

单晶硅的各向异性腐蚀在表面上形成无数的金字塔结构。

碱液的温度为约80度，浓度为约1至2％，并且蚀刻时间为约80度。

大约15分钟。

对于多晶，通常使用酸蚀刻。

4.扩散扩散的目的是形成一个PN结。

磷通常用于n型掺杂。

由于固态扩散需要高温，因此在扩散之前清洁硅晶片的表面非常重要。

织构后必须清洗硅晶片，即使用酸中和硅晶片表面上的碱残留物和金属杂质。

5.在边缘蚀刻，清洁和扩散过程中，在硅晶片的外围表面上还形成有扩散层。

外围扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将其除去。

外围的任何局部短路都会降低电池的并联电阻，甚至成为废品。

目前，等离子干蚀刻用于工业生产中。

在辉光放电的条件下，氟和氧交替地作用在硅上以去除包含扩散层的外围。

扩散后进行清洁的目的是去除在扩散过程中形成的磷硅酸盐玻璃。

6.沉积抗反射层沉积抗反射层的目的是减少表面反射并增加折射率。

PECVD被广泛用于沉积SiN，因为PECVD不仅会生长SiN作为抗反射膜，而且还会产生大量的原子氢。

这些氢原子在多晶硅晶片上具有表面钝化和整体钝化的双重作用。

用于批量生产。

7.通过丝网印刷制备上电极和下电极是制备太阳能电池中的关键步骤。

它不仅确定发射极的结构，而且还确定电池的串联电阻以及电池表面上的金属所覆盖的面积。

最初使用真空蒸发或化学电镀技术，但现在通常使用丝网印刷方法，即通过特殊的打印机和模板将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳能电池的正面和背面，形成正负极引线。

8.共烧形成