人类社会的进步离不开社会各界的努力，而各种电子产品的升级离不开设计师的努力。

实际上，许多人不了解电子产品的组成，例如碳化。

硅肖特基二极管。

Microchip的新器件已通过AEC-Q101认证。

对于需要在保持高质量的同时提高系统效率的电动汽车电源设计人员来说，它可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性，并获得稳定而持久的应用寿命。

新器件出色的雪崩整流性能使设计人员能够减少对外部保护电路的需求，从而降低系统成本和复杂性。

碳化硅是最早发现的半导体材料之一。

但是，由于难以生长高质量的碳化硅晶体，因此碳化硅器件的开发落后于同一家族的其他材料。

近年来，碳化硅器件的开发取得了长足的进步，并且已经证实，碳化硅由于其优越的物理和电性能而比硅材料和器件更适合用于大功率电路。

Microchip离散产品业务部门副总裁Leon Gross表示：“作为汽车行业的长期供应商，Microchip不断扩展汽车电源解决方案，并引领汽车领域的电源系统转型电气化。

我们一直专注于提供汽车解决方案，以帮助客户轻松过渡。

对于碳化硅（SiC），同时将质量，供应和支持挑战的风险降至最低”。

碳化硅具有比硅更宽的带隙（3C-SIC：2.3eV，6H-SIC：2.9eV，4H-SIC：3.2eV），临界击穿电场是硅的8-10倍。

因此，可以通过高掺杂的薄漂移层来实现碳化硅高压器件，从而将器件的导通电阻减小几个数量级。

Microchip一直是汽车行业的供应商，已有25年以上的历史了。

该公司拥有碳化硅（SiC）技术和多个获得IATF16949：2016认证的制造工厂，可以通过灵活的制造解决方案提供高质量的设备，以最大程度地减少供应链风险。

SIC材料具有卓越的电气性能，因此在高功率和高温应用中具有独特的优势。

对于式（1），与硅材料相比，4H-SIC的临界击穿电场大约是硅的10倍。

对于给定的击穿电压，通过公式（1）获得的比导通电阻将降低约3个数量级。

经过Microchip的内部和第三方测试后，关键的可靠性指标已证明，与其他制造商生产的SiC器件相比，Microchip的器件性能优越。

与其他在极端条件下会出现性能下降的碳化硅（SiC）器件不同，Microchip器件的性能保持稳定，有助于延长应用寿命。

Microchip的碳化硅（SiC）解决方案的可靠性和耐用性处于业界领先水平。

耐久性测试表明，Microchip的碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）在未钳位的电感式开关（UIS）中的能量容限提高了20％，并且在高温下的漏电流最低，这可以延长系统的寿命并达到操作更可靠。

碳化硅肖特基二极管不仅用于电源电路，而且还用于其他领域，例如气体传感器，微波和紫外线探测器。

Microchip的SiC汽车功率器件进一步扩展了其丰富的控制器，模拟和连接解决方​​案组合，为设计人员提供了电动汽车和充电站的整体系统解决方案。

Microchip还利用最新一代的碳化硅（SiC）芯片，提供了700、1200和1700V碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）电源模块的广泛产品组合。

此外，Microchip的dsPIC＆reg; reg;数字信号控制器可以提供高性能，低功耗和灵活的外设。

Microchip的AgileSwitch＆reg;系列数字可编程门驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的过程。

这些解决方案还可应用于可再生能源，电网，工业，运输，医疗，数据中心，航空航天和国防系统。

本文只能使您对碳化硅肖特基二极管有一个初步的了解。

这对您入门很有帮助。

同时，您需要继续进行总结，以便提高您的专业技能。

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