随着全球多元化的发展，我们的生活也在不断变化，包括我们接触到的各种电子产品。

然后，您一定不知道这些产品的某些组件，例如p沟道功率MOSFET。

几天前，Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所股票代码：VSH）宣布首次推出-30 V p沟道功率MOSFET-SiRA99DP，在10 V时导通电阻降至1.7 mW。

Vishay Siliconix TrenchFET＆amp ; reg;使用耐热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK＆reg;的第四代SiRA99DP导通电阻达到业界最低水平。

SO-8单片封装，专门用于提高功率密度。

当用作栅极整流器时，MOSFET是主要的开关晶体管，具有提高效率的作用。

为了选择最适合电源应用的开关，本设计示例比较了P通道和N通道增强模式MOSFET。

几天前发布的MOSFET的导通电阻比市场上排名第二的产品低43％，从而降低了电压降并降低了传导损耗，从而实现了更高的功率密度。

SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC，这是栅极电荷与导通电阻的乘积，也就是说，MOSFET在开关应用中的重要品质因数（FOM）为185 mW * nC，达到同类产品的最佳水平产品。

由于其较低的导通电阻（RDS（on））和较小的尺寸，在产品选择中，N沟道MOSFET优于P沟道。

在降压稳压器的应用中，基于各种因素（例如栅极电压极性，器件尺寸和串联电阻），P沟道MOSFET或N沟道MOSFET用作主开关。

同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，主要是因为N沟道的RDS（on）小于P沟道的RDS（on），并且通过在栅极上施加正电压来使其导通。

该器件是输入电压为12 V的电路的理想选择，适用于适配器，电池和通用电源开关，反极性电池保护，OR-ing功能以及电信设备，服务器，工业PC和计算机的电机驱动控制。

机器人。

SiRA99DP减少了并行设备的数量，换句话说，增加了单个设备的电流，从而提高了功率密度并节省了这些应用的主板空间。

另外，作为p沟道MOSFET，该器件不需要电荷泵来提供n沟道器件所需的正向栅极电压。

在研究和设计过程中，必须存在此类问题，这要求我们的科研工作者不断总结设计过程中的经验，以促进产品的不断创新。