与双极电源相比，功率FET具有以下特性：场效应晶体管（MOSFET）是电压控制器件（双极型是电流控制器件），因此在驱动大电流时无需推动级，电路比较简单;输入阻抗高，高达108Ω或更高;工作频率范围宽，开关速度快（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关损耗小;有一个更好的线性区域，FET的输入电容远小于双极性输入电容的输入电容，因此其交流输入阻抗非常高;噪音也很小，最适合制作Hi-Fi音频; 。

功率FET可以并联使用，以增加输出电流，而无需电流共享电阻。

（1）漏极击穿电压BUD是不会导致器件击穿漏极漏极击穿电压BUD的极限参数，其大于漏极电压额定值。

随着结温升高，BUD上升，这与GTR和GTO完全相反。

（2）漏极额定电压UD UD是器件的额定额定值。

（3）UT漏极电流ID和IDM ID是漏极直流电流的标称参数; IDM是漏极脉冲电流幅度。

（4）栅极导通电压UT，也称为阈值电压，是导通功率MOSFET的栅 - 源电压，是传输特性曲线和横轴的交点。

施加的栅极 - 源极电压不应太大，否则会突破器件。

（5）跨导gm gm是表征功率MOSFET的栅极控制能力的参数。

1.反向电池保护电路反向电池保护电路如图9所示。

通常，串联防止电池损坏的方法是串联二极管。

当电池反接时，PN结反转而没有电压降，但在正常操作期间管电压降为0.6到0.7V。

具有低导通电阻的增强型N沟道场效应晶体管（MOSFET）具有非常小的管电压降（RDS（ON）×ID）。

例如，Si9410DY的RDS（ON）约为0.04Ω，约为1A。

0.04V。

此时，应该注意的是，当电池安装正确时，ID不会完全通过管内的二极管，但当VGS≥5V时，N导电通道被解锁（相当于一个非常小的电阻）并且大部分电流从S流向D.（ID为负）。

当电池反接时，FET被阻断，电路受到保护。

2.触摸调光电路简单的触摸调光电路如图10所示。

当手指接触上触点时，电容器通过手指电阻充电100k，VGS逐渐增大，光线逐渐变亮;当触摸下触点时，电容器通过100k和手指电阻放电，并且灯逐渐变暗。

3.A类功率放大器电路通过R1和R2建立VGS静态工作点（此时有一定的ID流动）。

当音频信号通过C1耦合到栅极时，产生-ΔVGS，产生较大的ΔID，并且输出变压器的阻抗匹配，使得4-8Ω扬声器输出大的声功率。

在图11中，Dw是一个9V齐纳二极管，可以保护G和S极免受过压和击穿。

从图中还可以看出，偏置电阻的值很大，因为栅极输入阻抗非常高并且没有栅极电流。