齐纳击穿的物理过程与雪崩击穿不同。

当反向电压增加到一定值时，可以在势垒区域中建立强电场，其可以直接拉出在共价键中结合的价电子，并在势垒区域中产生大量的电子空。

这对孔形成大的反向电流并产生击穿。

在强电场的作用下，阻挡区域中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。

齐纳击穿通常发生在具有较高掺杂浓度的PN结中。

这是因为具有较高掺杂浓度的PN结在空间电荷区域中具有较大的电荷密度和较窄的宽度。

只要施加小的反向电压，就可以建立强电场并且发生齐纳击穿。

通常，击穿电压小于6V时发生的击穿是齐纳击穿，6V以上发生的击穿是雪崩击穿。

齐纳击穿可以制成齐纳二极管，也称为齐纳二极管。

该二极管是一种半导体器件，在临界反向击穿电压之前具有非常高的电阻。

在该临界击穿点，反向电阻减小到一个小值。

在该低电阻区域中，电流增加并且电压保持恒定。

齐纳二极管根据击穿电压进行分档。

由于这种特性，齐纳二极管主要用作电压调节器。

或者使用电压参考组件。

齐纳二极管可以串联连接以在更高的电压下使用，并且通过串联连接可以获得更稳定的电压。