光电晶体管类似于普通的三极管，并且具有电流放大效应，除了其集电极电流不仅受基极电路和电流控制，还受光辐射控制。

通常不取出基座，但取出一些光电晶体管的基极进行温度补偿和额外控制。

当用光照射具有光敏特性的PN结时，形成光电流，并且所得的光生电流从基极进入发射极，从而在集电极环中获得相当于β倍的信号电流。

由不同材料制成的光电晶体管具有不同的光谱特性，并且与光电二极管相比具有大的光电流放大效应，即高灵敏度。

光敏三极管用于测量亮度，并且通常与发光二极管一起用作信号接收装置。

可以通过光电晶体管的特性来实现亮度的测量。

二，光隔离光电晶体管的另一个功能是传输信号，光耦合器（或缩写为OC），也称为光隔离器，称为光耦合器。

光耦合器以光为媒介传输电信号。

它对输入和输出电信号具有良好的隔离性，因此被广泛用于各种电路中。

三个非接触式测速转矩传感器在转轴上配有60个齿隙速度测量轮，一个槽式光电开关框架，由发光二极管和安装在传感器外壳上的光电晶体管组成，每个齿都有速度测量轮当发光二极管的光被阻挡时，光电晶体管输出高电平。

当光通过齿隙并入射到光敏管的窗口上时，光敏管输出低电平，旋转轴每转可获得60次。

因此，脉冲每秒检测到的脉冲数正好等于每分钟的速度。

光电晶体管通常以基极开路状态使用（外部导线在许多情况下具有两根导线），并且将电压施加到发射极和集电极的两个端子以向集电极结施加反向偏压。

在这种状态下，当光入射到基底的表面上时，光电流（Iλ）在反向偏压下在基极和集电极之间流动，并且晶体管以相同的方式接地。

电流是晶体管的电流。

放大系数（hfe）被放大成为流向外部端子的光电流（Ic），如图2所示。

光电晶体管的光电特性反映了施加电压恒定时光电流与照度之间的关系。

该图显示了光电晶体管的光电特性。

光电晶体管的光电特性曲线的线性度不如光电二极管的线性度，并且在低光的情况下光电流缓慢增加。

实际选择光电晶体管时，应根据参数注意电子管类型。

如果灵敏度高，可以使用达林顿型光电晶体管。

如果响应时间很快且温度灵敏度很小，则不使用光电二极管并使用光电二极管。

为了检测暗光，有必要选择具有小暗电流的管。

同时，可以考虑具有基极引线的光电晶体管，并且通过偏置获得合适的工作点以增加光电流的放大系数。

例如，为了检测10-3勒克斯的弱光，光电晶体管的暗电流必须小于0.1nA。