IGBT技术不能落后于应用要求。

因此，英飞凌推出了最新一代IGBT芯片，以满足特定应用的需求。

与逆变器设计应用功率或其各自的额定电流水平相关的开关速度和柔软度要求是驱动这些不同类型的器件优化的主要驱动因素。

这些型号包括具有快速开关特性的T4芯片，具有软开关特性的P4芯片，以及具有T4和P4之间的开关速度的E4芯片。

随着杂散电感的增加，IGBT的导通损耗降低，二极管损耗增加。

杂散电感还可能引起振荡，例如由电流突然变化引起的振荡，这可能导致由于EMI或过电压限制而导致器件使用受限。