1.总频率差：由于指定时间内指定的工作和非工作参数的组合，晶体振荡器频率与给定标称频率之间的最大频率差。

注意：总频率差包括频率温度稳定性，频率温度精度，频率老化率，频率电源电压稳定性和频率负载稳定性引起的最大频率差。

通常，它仅用于短期频率稳定性的情况，并不是其他频率稳定性指标严格要求的。

例如：精确制导雷达。

2.频率温度稳定性：在标称功率和负载下，在没有隐含参考温度或在指定温度范围内工作的隐含参考温度的最大允许频率偏移。

Ft =±（fmax-fmin）/（fmax + fmin）ftref =±max（fmax-fref）/ fref |，|（fmin-fref）/ fref |] ft：频率温度稳定性（无隐含参考温度））ftref ：频率温度稳定性（隐含参考温度）fmax：在指定温度范围内测量的最高频率fmin：在指定温度范围内测量的最低频率fref：由指定参考温度测量的频率说明：使用ftref指示器晶体振荡器比具有ft指数的晶体振荡器更难以产生，因此ftref指数的晶体振荡器以更高的价格出售。

3.频率稳定的预热时间：根据晶体振荡器的稳定输出频率，从上电到输出频率所需的时间小于指定的频率容差。

注意：在大多数应用中，晶体振荡器长时间供电。

但是，在某些应用中，晶体振荡器需要频繁启动和关闭。

此时，需要考虑频率稳定的预热时间指示器（特别是对于粗糙度）。

在环境中使用的军用通信站，当频率温度稳定要求≤±0.3ppm（-45°C~85°C）时，使用ocxo作为本地振荡器，频率稳定的预热时间将为no不到5分钟，只需要dtcxo。

十秒钟） 4.频率老化率：在恒定环境条件下测量振荡器频率时振荡器频率与时间之间的关系。

这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化引起的。

指定时限后的最大变化率（例如，±10 ppb /天，上电72小时后），或指定时限内的最大总时间。

表示频率变化（例如，±1ppm /（第一年）和±5ppm /（十年））。

注意：tcxo的频率老化率为：±0.2ppm~±2ppm（第一年）和±1ppm~±5ppm（十年）（特殊情况除外，tcxo很少使用日常频率老化率指标，即使在实验中也是如此）腔室的条件，温度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器的频率老化，因此该指标失去其实际意义）。

ocxo的频率老化率为±0.5ppb~±10ppb /天（上电72小时后），±30ppb~±2ppm（第一年），±0.3ppm~±3ppm（十年）。

5.频率电压控制范围：晶体振荡器频率的最小峰值从参考电压调整到指定的终止电压。

描述：参考电压为+ 2.5v，额定端电压为+ 0.5v和+ 4.5v，频率控制晶体振荡器在+ 0.5v频率控制电压下频率变化为-110ppm，频率受控在+ 4.5v频率控制电压。

变化量为+ 130ppm，则vcxo电压控制频率的电压控制范围表示为：≥±100ppm（2.5v±2v）。

6.电压控制频率响应范围：调制频率变化时峰值频率偏移与调制频率之间的关系。

通常，指定的调制频率由低于指定调制参考频率的dbs数表示。

描述：vcxo频率电压控制范围的频率响应为0~10khz.7。

频率电压控制线性度：输出频率 - 输入控制电压传输特性与理想（直线）函数相比较，它表示整个范围频率偏差的百分比。

允许的非线性。

描述：典型的vcxo频率电压控制线性度为：≤±10％，≤±20％。

简单的vcxo频率电压控制线性计算方法是（当频率电压控制极性为正极性时）：频率电压控制线性度=±（（fmax-fmin）/ f0）×100％fmax：最大电压下vcxo的输出频率 - 受控电压fmin：vcxo输出频率最小压控电压f0：电压控制中心电压频率8.单边带相位噪声£（f）：偏离载波f，相位调制功率密度的比值边带到载波功率。