奈梅亨，2020年12月16日：半导体基础元件领域的高容量生产专家Nexperia今天发布了具有AEC-Q101认证的新的重复性雪崩特定FET（ASFET）产品组合，重点是电力系统应用。

该技术已经经历了十亿次雪崩循环，可用于汽车感应负载控制，例如电磁阀和执行器。

除了提供更快的关闭时间（最多4倍）之外，该技术还可以通过减少BOM的数量来简化设计。

在汽车动力总成的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源解决方案通常围绕升压，续流二极管或有源钳位拓扑构建。

第四个选择是重复雪崩设计，该设计利用MOSFET的重复雪崩功能在关断期间从电感性负载电流中释放能量。

这种设计等效于有源钳位方案的效率，并且可以消除对二极管和其他器件的需求，从而最大限度地减少了器件数量并降低了电路复杂性。

此外，该设计还可支持更快的关闭时间，从而提高了机电设备（例如电磁阀和继电器）的可靠性。

一般而言，此设计只能使用基于过时的平面技术的设备。

Nexperia汽车重复雪崩ASFET产品线是专门为解决此问题而开发的，可提供经过数十亿次循环测试的可靠重复雪崩功能。

此外，与升压拓扑相比，该产品系列最多可减少15个板载设备，并将设备引脚尺寸效率提高多达30％，从而简化了设计。

新型MOSFET在175°C时完全符合AEC-Q101汽车标准。

它提供40 V和60 V选项，典型RDS（ON）额定值为12.5mΩ至55mΩ。

所有设备均使用该公司节省空间的LFPAK56D（双通道Power-SO8）铜夹封装技术。

该封装坚固耐用且可靠，配有鸥翼形插针，可实现出色的板级可靠性，并与自动光学检查（AOI）兼容，可提供出色的可制造性。

Nexperia产品经理Richard Ogden解释说：“通常，想要实现重复雪崩拓扑的工程师必须依靠基于过时的平面半导体技术的设备。

它们基于高性能的硅结构，可为汽车级设备提供可靠的可重复雪崩功能。

，它可以增加旨在利用其功能优势而设计的动力总成的数量”。

Nexperia于2020年初推出了专用FET（ASFET）系列，以满足业界对最佳性能的需求。

ASFET的MOSFET参数针对特定应用进行了优化。

通过专注于特定应用，可以实现重大改进。

其他ASFET系列适用于热插拔，以太网供电（PoE），电池保护和电机控制应用。