你知道TOPCon电池吗？在当今高度发展的科学技术中，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么您是否知道这些高科技可能包含TOPCon电池？ TOPCon是基于选择性载流子原理的隧道氧化物被动接触（隧道氧化物钝化接触）太阳能电池技术。

它的电池结构是一个N型硅衬底电池，在电池的背面准备了一层超薄氧化硅，然后沉积一层掺杂的硅薄层，两者共同形成了钝化接触结构，有效地减少了表面复合和金属接触的复合，并为进一步提高N-PERT电池的转换效率提供了更大的空间。

TOPCon技术与n-PERT双面电池生产线兼容，并且可以通过简单转换n-PERT双面电池生产来实现N型单晶双面TOPCon电池的大规模生产。

线。

隧道氧化物层可以通过热氧法获得。

在降低氧分压之后，氧化速率缓慢，并且可以获得具有可控制的厚度和均匀性的氧化硅膜层。

可以通过硅烷在高温下的热分解来实现多晶硅层。

在电池的背面准备了超薄的隧道氧化层和高掺杂多晶硅薄层，它们一起形成钝化接触结构，从而为硅晶片的背面提供了良好的表面钝化。

薄氧化层允许多载流子电子隧穿到多晶硅层中，同时阻止少数载流子空穴的复合，然后电子在多晶硅层中横向传输并被金属收集，从而大大降低了金属接触复合电流和增加电池的开路电压和短路电流。

TOPCon的正面与常规N型太阳能电池或N-PERT太阳能电池之间没有本质区别。

电池的核心技术是背面钝化接触。

硅晶片的背面由一层超薄氧化硅（1〜2nm）和一层掺磷的微晶与非晶混合硅薄膜组成。

钝化性能通过退火过程被激活，并且硅膜的结晶度在退火过程中发生变化，从微晶非晶混合相变为多晶。

iVoc在850℃的退火温度下退火。

710 mV，J0在9-13 fA / cm2时，显示出极好的钝化接触结构的钝化性能，制备的电池效率超过23％。

N型前结钝化接触太阳能电池的当前世界纪录（25.8％）由Fraunhofer-ISE研究所保持。

LPCVD设备可以一站式完成隧道氧化层和多晶硅层的制备。

热氧和多层沉积的二合一工艺可以大大提高生产能力并降低设备成本，与其他设备相比具有很大的优势。

在完成热氧工艺之后，在低压下沉积多晶硅层。

除了节省时间外，保护超薄氧化硅层更为重要。

一方面，氧化层不会脱离船体。

氧化会失去隧穿作用；另一方面，氧化物层不会在空气中被污染。

在多晶硅层中有两种掺杂磷的方法，即原位掺杂和异位掺杂。

原位掺杂是在多晶硅沉积期间的直接掺杂。

在沉积多晶硅层之后进行异位掺杂。

可以选择两种方法，一种是离子注入和退火，另一种是磷扩散。

离子注入工艺具有较好的单面性，但设备昂贵，生产率低，大规模量产设备的成本较高。

磷光体膨胀过程的单面性稍差，但是可以通过过程设计解决该问题，并且磷光体扩散设备在光伏市场中已经非常成熟，价格低廉，并且过程也非常稳定。

综合考虑，在TOPCon电池的批量生产中，LPCVD完成了隧道氧化层和Poly层的制备，然后磷扩散是最佳的成本效益选择。

以上是对TOPCon电池的一些详细分析，值得每个人学习。

希望您在与您取得联系时能给您一些帮助。

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